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■Electrical/Optical Characteristics (Ta= 25℃)
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Units | Test Conditions | |||
905 | 660 | 905 | 660 | 905 | 660 | ||||
Forward Voltage | VF | -- | 1.8 | 1.35 | -- | 1.75 | 2.3 | V | IF=20mA |
Reverse Current | IR | -- | -- | -- | -- | 10 | 10 | uA | VR=5V |
Radiant Power | Po | 1.5 | 4 | 3 | 9 | 4 | 11 | mW | IF=20mA |
Peak Wavelength | λp | -- | -- | 895 | 660 | -- | -- | nm | IF=20mA |
Spectral Line Half-width | Δλ | -- | -- | 50 | 15 | -- | -- | nm | IF=20mA |
PD:
Symbol | Min. | Typ. | Max. | Units | Test Conditions | |
符號 | 最小值 | 規格值 | 最大值 | 單位 | 測試條件 | |
Forward Voltage | VF | 0.5 | -- | 1.3 | V | IF=20mA,H=0 |
Reverse Breakdown Voltage | VBR | 35 | -- | -- | V | IR=100uA,H=0 |
Reverse Dark Current | ID | -- | -- | 20 | nA | VR=10V,H=0 |
Light current | IL | -- | 135 | -- | uA | VR=5V,H as 1mw/cm2@940nm |
Peak Sensing Wavelength | λp | -- | 940 | -- | nm | -- |
Spectral Bandwidth | Λ0.5 | 400 | -- | 1100 | nm | -- |
Junction Capacitance | CJ | -- | 5 | -- | pF | VR=3V,H=0,F=1MHZ |
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